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更多>>处理所有西铁城晶振通用的预防措施
来源:http://www.kangbidz.com 作者:康比电子 2019年03月29
日本西铁城精设备是一个新公司,三家企业公民的有超过50年历史的御代田有限公司,西铁城精科技有限公司,西铁城精密株式会社的传统诞生通过两次并购.西铁城公司生产和销售汽车,石英晶体振荡器,贴片晶振,32.768K及相关零件,陶瓷晶振等零件,铁电液晶显示器微型显示器,燃烧压力传感器,测量装置,电机等小型金属加工零件,并拥有多种商业产品.正在扩大.这些产品得到专有的核心技术的支持,例如多年来培育的小金属零件加工技术,薄膜技术,脆性材料加工技术,装配技术和密封技术.此外,为了保持独特性,使用内部开发的制造设备.下面介绍一下处理所有西铁城晶振通用的预防措施
储存时间:
在高温和高湿度下存放可能会导致频率精度和可焊性降低.因此,请存放在没有阳光直射的常温常湿下不会发生结露的地方.另外,避免长期存放,请在开封后尽快使用.
关于振荡器电路设计的注意
在设计振荡器电路时,必须将电路常数设置为最佳条件,以便可以充分利用晶体单元的特性.根据我们的经验,Citizen提供服务以研究以下特性,以优化石英晶振单元和振荡器之间的匹配.此电路调查的目的是为客户提供使用晶体单元的更多信心.
1.MOSIC晶体振荡器电路 CMOS晶体振荡器电路
2.负载能力(CL)
负载电容(CL)是振荡器电路中从晶体振荡器到振荡器电路的有效外部电容,谐振频率由有源晶振和负载电容决定.因此,如果晶体单元的负载容量与所用电路的容量不匹配,则会发生频移.
3.负电阻(-R)
负电阻也称为振荡裕度,是电路启动振荡能力的量度.如果使用负电阻不足的电路,则可能发生意外事故,即使电源接通,西铁城晶振也不会振荡.
4.励磁电流(i)
激励电流表示流向晶体单元的电流.如果对晶体单元施加过大的激励电流,则可能发生以下故障现象.
1.电磁波噪声变强.
2.在T/F的情况下,发生分支破损.
3.发生频率温度特性的异常.
4.发生石英晶体振荡器的特性变化.(频率变化,等效串联电阻变化等)
5.频率-电源电压特性
它表示频率相对于电源电压变化的变化率.由电源波动引起的频率变化的原因在电路侧(特别是IC)比石英振荡器大,并且通常认为在频率变化率保持在±5ppm以内时电源电压的±10%波动是理想的.
6.频率-温度特性
它显示了频率相对于温度变化的变化率.单晶振单元的频率温度特性与整个振荡电路的特性之间可能存在很大差异. 7.检查振荡裕度的方法
1.为了确认振荡器电路的振荡裕度是足够的,有必要知道振荡器电路的负电阻(-R).
2.插入与晶体单元串联的可变电阻器(VR),并将可变电阻器的值从振荡停止状态改变为振荡开始.振荡开始时VR的值是负电阻(-R).
3.为了获得振荡器电路的足够振荡余量,调整C1,C2和Rd,使得负电阻值是贴片晶振单元的有效电阻值的五倍或更多.此外,我们建议在使用汽车等高可靠性设备时使用10次以上.
储存时间:
在高温和高湿度下存放可能会导致频率精度和可焊性降低.因此,请存放在没有阳光直射的常温常湿下不会发生结露的地方.另外,避免长期存放,请在开封后尽快使用.
关于振荡器电路设计的注意
在设计振荡器电路时,必须将电路常数设置为最佳条件,以便可以充分利用晶体单元的特性.根据我们的经验,Citizen提供服务以研究以下特性,以优化石英晶振单元和振荡器之间的匹配.此电路调查的目的是为客户提供使用晶体单元的更多信心.
1.MOSIC晶体振荡器电路 CMOS晶体振荡器电路
C L | 负载能力 |
---|---|
-R | 负载电阻 |
乐 | 有效电感 |
回复 | 有效阻力 |
负载电容(CL)是振荡器电路中从晶体振荡器到振荡器电路的有效外部电容,谐振频率由有源晶振和负载电容决定.因此,如果晶体单元的负载容量与所用电路的容量不匹配,则会发生频移.
负电阻也称为振荡裕度,是电路启动振荡能力的量度.如果使用负电阻不足的电路,则可能发生意外事故,即使电源接通,西铁城晶振也不会振荡.
4.励磁电流(i)
激励电流表示流向晶体单元的电流.如果对晶体单元施加过大的激励电流,则可能发生以下故障现象.
1.电磁波噪声变强.
2.在T/F的情况下,发生分支破损.
3.发生频率温度特性的异常.
4.发生石英晶体振荡器的特性变化.(频率变化,等效串联电阻变化等)
5.频率-电源电压特性
它表示频率相对于电源电压变化的变化率.由电源波动引起的频率变化的原因在电路侧(特别是IC)比石英振荡器大,并且通常认为在频率变化率保持在±5ppm以内时电源电压的±10%波动是理想的.
6.频率-温度特性
它显示了频率相对于温度变化的变化率.单晶振单元的频率温度特性与整个振荡电路的特性之间可能存在很大差异. 7.检查振荡裕度的方法
1.为了确认振荡器电路的振荡裕度是足够的,有必要知道振荡器电路的负电阻(-R).
2.插入与晶体单元串联的可变电阻器(VR),并将可变电阻器的值从振荡停止状态改变为振荡开始.振荡开始时VR的值是负电阻(-R).
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