石英晶体振荡器(XO)电路是RF系统的关键部件,并且用于在收发器中产生参考频率.对于这些收发器而言,对于不同于收发器所调谐的频率的响应(杂散响应)是挑战性问题之一.XO谐波可以容易地通过多个路径耦合至其他RF电路,并且出现在接收器和发射器输出端处.与单端结构相比,差分贴片晶振XO电路是期望的,这是因为针对串扰和杂散响应的更好免疫性.然而,在XO电路中缺乏低阻抗DC路径使得电路锁定而不是振荡.常规的差分XO电路设计已经使用了晶体管的已修改交叉耦合配对的负跨导(-gm)作为有源晶振器件,并且已经添加了高通滤波以避免在低频锁定.
技术实现要素:提供在差分振荡器电路的输出端子处产生振荡频率.
在一个实施例中,公开了一种差分贴片晶振电路.电路包括:第一输出端子和第二输出端子;交叉耦合的振荡单元,包括交叉耦合至第一输出端子和第二输出端子的第一和第二晶体管;第一和第二金属-氧化物半导体场-效应晶体管(MOSFET)二极管,每个MOSFET二极管包括连接在栅极和漏极端子之间的电阻器,其中第一MOSFET二极管耦合至第一晶体管以向第一晶体管提供在低频的低阻抗负载和在高频的高阻抗负载,其中第二MOSFET二极管耦合至第二晶体管以向第二晶振管提供在低频的低阻抗负载和在高频的高阻抗负载;以及耦合在第一输出端子和第二输出端子之间以建立振荡频率的参考谐振器.
在另一实施例中,公开了一种用于在差分振荡器电路的输出端子处产生振荡频率的方法.方法包括:使用耦合在输出端子之间的晶体管和参考谐振器的交叉耦合配对产生振荡频率;以及使用耦合至晶体管的交叉耦合配对的MOSFET二极管生成在低频的低阻抗负载和在高频的高阻抗负载,其中MOSFET二极管中的每一个包括连接在栅极和漏极端子之间的电阻器.
在又一实施例中,公开了一种用于在差分晶体振荡器电路的输出端子处产生振荡频率的设备.设备包括:用于通过驱动在输出端子之间耦合的参考石英晶体谐振器而产生振荡频率的装置;以及用于生成在低频的低阻抗负载和在高频的高阻抗负载的装置,其中用于生成的装置耦合至用于产生的装置.

本领域技术人员应该知晓可以各种形式实施结合在此所公开实施例而描述的各种示意性方框和模块.已经通常根据它们的功能而以上描述了一些方框和模块.如何实施该功能取决于对整个系统提出的设计约束.本领域技术人员可以对于每个特定应用以变化的方式实施所述功能,但是一些实施方式的决定不应解释为使得脱离本发明的范围.此外,在模块,组块或步骤内的功能的分组是为了便于描述说明.具体的功能或步骤可以从一个模块或组块移动而并未脱离本发明的范围.
结合在此所公开实施例描述的各个示意性逻辑组块,单元,步骤,部件和模块可以采用处理器实施或执行,诸如通用处理器,石英晶振,数字信号处理器(DSP),专用集成电路(ASIC),现场可编程门阵列(FPGA),或设计用于执行在此所述功能的其他可编程逻辑器件,离散的门或晶体管逻辑,离散的硬件部件,或者其任意组合.通用处理器可以是微处理器,但是在备选例中,处理器可以是任何处理器,控制器,微控制器,或状态机.处理器也可以实施作为计算装置的组合,例如,DSP和微处理器的组合,多个微处理器,一个或多个微处理器结合DSP内核,或者任何其他这种配置.进一步,可以使用各种晶体管类型,逻辑系列,和设计方法学实现在此所述的实施了实施例的电路以及功能组块和模块.

提供所公开实施例的以上说明以使得本领域任何技术人员能够制造或使用本发明.对这些实施例的各种修改对于本领域技术人员将是易于明显的,并且在此所述的普遍原理可以适用于其他实施例而并未脱离本发明的精神或范围.因此,应该理解的是在此所展示的说明书和附图展示了本发明的当前优选实施例并且因此代表了由本发明广泛设计的主题.应该进一步理解的是本发明的阿范围完全包括对于本领域技术人员可以变得明显的其他实施例,并且因此由除了所附权利要求之外任何其他事物无法限定本发明的范围.
一种差分贴片晶振电路,包括:第一输出端子和第二输出端子;包括交叉耦合至第一输出端子和第二输出端子的第一和第二晶体管的交叉耦合的振荡单元;第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)二极管,每个MOSFET二极管包括连接在栅极和漏极端子之间的电阻器,其中第一MOSFET二极管耦合至第一晶体管以向第一晶体管提供在低频时低阻抗负载和在高频时高阻抗负载,其中第二MOSFET二极管耦合至第二晶体管以向第二晶体管提供在低频时低阻抗负载和在高频时高阻抗负载;以及耦合在第一输出端子和第二输出端子之间以建立振荡频率的参考谐振器.

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