>1MHz的晶体通常是AT切割晶体。这些设备可以承受很宽的驱动电平范围。在达到毫瓦驱动水平之前不会发生断裂。额外的老化可能发生在更高的µW驱动范围。过度驱动晶体会激发不需要的振动模式。这些可能导致在不同的狭窄温度范围内出现严重的频率跳跃。

7XZ-32.768KDA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
AU-26.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MBA-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7C-40.000MBA-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm

频率温度特性
晶体的频率响应由晶体穿过石英晶体的原子平面的切割决定。这导致稳定和可重复的温度响应。该图显示了AT切割晶体的不同切割的频率温度响应。每条曲线有2分钟的弧度不同。

7C-40.000MBA-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7Z-38.400MBG-T	TXC 晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC 晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC 晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
6U-16.384MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC 晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC 晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC 晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC 晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC 晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC 晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7W-25.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm

指定晶体和来料检验晶体具有许多参数，应指定这些参数以确保收到满足最终应用要求的设备。
频率/校准，设定点为25°C/CLOAD/稳定性、频率与温度的关系（以25°C为基准）/工作温度范围/Cl的最大ESR，石英晶体谐振器电阻/C0范围，引脚间电容/LMOTIONAL或CMOTIONAL，设置晶体的可拉性/驾驶水平/频率和电阻的驱动电平相关性(DLD)/老化/绝缘电阻

7W-48.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC 晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC 晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC 晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
7X-38.400MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC 晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC 晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC 晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
BB-125.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm

还有其他规格，例如每°C的最大允许频率变化，或平滑曲线的最大允许响应（扰动控制）。进货检验或测试需要专门的设备：晶体阻抗计（CIMeter）/带有特殊测试夹具和软件的网络分析仪
CLOAD温度系数可以将这种响应改变很多分钟。CLOAD值和电容器对于振荡器满足所需特性至关重要。放大器的CSTRAY和放大器相移随温度的变化都会影响频率温度特性。

7W-4.096MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC 晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC 晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC 晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-24.576MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm

使用振荡器的设计注意事项:2.1振荡器安装了未完成的晶体，并且在过程的最后部分，晶体在室温下校准其频率。2.2晶体与振荡器电路的温度系数相匹配。改变晶角或切割以抵消振荡器电路的温度系数。2.3通向晶体的引线通常被密封在密封晶体封装中，以尽量减少最终用途改变振荡器性能的任何机会。使用示波器、频率计数器和电源可以轻松测试或验证振荡器的性能。

7X-20.000MBE-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC 晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC 晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC 晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC 晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC 晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC 晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
7N-12.800MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb

在数据表中指定。 振荡器设计的一部分。
振荡器封装通常可以保护器件免受系统噪声注入。
最终用户必须通过电源引线旁路提供无噪声电源信号。

7N-26.000MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
TC-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	70MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	19.2MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	64MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	7.3728MHz	±25ppm
7W-32.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7W-32.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7W-32.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm