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常见问题
更多>>Model425晶振,2520四脚贴片晶振,MHZ石英晶振高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.
参数 | Model425晶振 | ||||
工作模式 | 基本 | 第三次泛音 | |||
频率范围 | 10 MHz to 40MHz | 10MHz to40MHz | |||
水晶切割 | AT截法 | ||||
频率公差@ 25°C | ±10ppm, ±15ppm, ±20 ppm, ±30 ppm, ±50 ppm | ||||
频率稳定度公差1 (工作温度范围,引用到25°C阅读) |
±15 ppm, ±20 ppm, ±30 ppm, ±50 ppm, ±100 ppm |
||||
工作温度范围1 |
-40°C to +85°C [All Stability Codes] -40°C to +105°C [Stability Code 3, 5, 6] -40°C to +125°C [Stability Code 5, 6] |
||||
等效串联电阻 | 8.000 MHz - 9.999 MHz | 150 Ohms maximum | |||
24.000 MHz - 53.999 MHz | 150 Ohms maximum | ||||
54.000 MHz - 120MHZ | 100 Ohms maximum | ||||
10.000 MHz - 15.999 MHz | 60 Ohms maximum | ||||
16.000 MHz - 40.000 MHz | 50 Ohms maximum | ||||
负载电容或共振模式(见订购信息更多的选项) | 10pF, 12pF, 16pF, Series standard | ||||
Capacitance(Shunt详细) | 3.0 pF typical, 5.0 pF maximum | ||||
激励功率 | 10 μW typical, 100 μW maximum | ||||
老化@ + 25°C | ±5 ppm/yr maximum | ||||
绝缘电阻(@直流100 v) |
500M Ohms minimum | ||||
储存温度范围 | -40°C to +125°C | ||||
回流条件下,按JEDEC j - std - 020 | +260°C maximum, 10 Seconds maximum |
自从欧盟颁布各项绿色环保指令(如RoHS)后,世界各国已陆续制定公布相关之法令规章,推动「绿色产品」的发展.西迪斯电子为了对环境与人类贡献一己之力,导入绿色设计之概念,致力生产符合国际绿色环保指令与客户特殊要求之产品.我们知道,人类的永续发展需要干净的环境,如果我们产品中的物质会对环境造成污染,影响到人类生存的基本条件,不论产品的功能再先进再齐全,也无法对环境与社会带来多大的帮助.
美国西迪斯科技产品技术方面,除了不断提升既有产品规格的精密度及稳定性之外,我们更专注开发高温度耐受性的产品、特殊应用领域之规格,并朝小型化开发设计,以满足终端产品的发展趋势.西迪斯电子历经近40年的经营,在追求技术及销售之馀,我们更竭力于环境的保护,投入绿色化产品及材料的开发,秉持『取之于社会,用之于社会』的理念,推动环保、节能及社会回馈等生活概念,期盼带动我们企业的同仁、供应商伙伴及客户群参与并发起社会活动,共同创造美好、健康的未来.
1.解析目的与步骤
a) 实际量测电路板上频率波型与公差.
(Crystal on board test to verify tolerance and waveform)
b) 量测振荡电路负性电阻值 –R .
(Measure the Negative Resistance(-R) of the oscillation circuit)
c) 调整C1 C2电容以得到更大的频率变化宽裕度.
(Modify the C1,C2 to obtain bigger allowance)
d) 根据以上电路板量测数据建议适当振荡子规格.
(Suggest the crystal specification based on above test)
2.分析过程中使用到之设备:
a) 实际量测电路板上频率波型与公差.
(Crystal on board test to verify tolerance and waveform)
b) 量测振荡电路负性电阻值 –R .
(Measure the Negative Resistance(-R) of the oscillation circuit)
c) 调整C1 C2电容以得到更大的频率变化宽裕度.
(Modify the C1,C2 to obtain bigger allowance)
d) 根据以上电路板量测数据建议适当振荡子规格.
(Suggest the crystal specification based on above test)
2.分析过程中使用到之设备:
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