我们的高性能频率控制器件已运行近65年，专为1Hz至1GHz的苛刻应用而设计。所有Greenray振荡器产品均在我们位于宾夕法尼亚州Mechanicsburg的工厂设计、组装和测试。我们的质量管理体系通过了ISO 9001:2015 + AS9100D标准认证。该标准包括罡O 9001:2015对航空航天有额外的行业特定要求。该标准比ISO 9001:20015标准更为严格，是国防和航空航天工业所必需的，为我们设计和制造的产品质量提供了更高的信心。

我们的产品能力：OCXOs，TCXOs，VCXOs，时钟振荡器

我们的工程重点：紧密稳定性，低相位噪声，高冲击和振动，低g敏感度

Greenray OCXOs提供各种封装，从小型DIP和SMT到更大的工业标准尺寸。我们提供从1MHz到200MHz的广泛频率范围，以满足您的特定要求。

利用独特的设计技术，Greenray OCXO有源晶振专注于低相位噪声和温度范围内的严格频率稳定性，并为国防和通信应用提供出色的长期特性。

恒温控制晶体振荡器（通常称为OCXO）通过将石英晶体谐振器置于其自身稳定的恒温箱中来实现参考频率稳定性。

通过在应用的环境温度范围内保持稳定的内部温度，OCXO提供了非常稳定的频率源。

不同于温度补偿晶体振荡器-“tcxo”-OCXO烘箱温度设置为高于最高工作环境温度的温度以保持温度控制，通常通过使用热敏电阻温度传感器。建立适当的烘箱温度后，晶体将被指定具有一个转折点，在该转折点处，传感器在烘箱中检测到的温度下频率与温度的斜率接近零。

OCXO通常包括一个或多个加热元件，并且因为电路中的其他电子元件也容易漂移，整个振荡器电路都装在烤箱内。闭环电路中的热敏电阻温度传感器是控制加热器电源和精确控制烤箱温度的最常用方法。因为烤箱在整个工作温度范围以上工作，OCXOs需要一段预热时间通电后。在预热过程中，由于设备从室温加热到更高的内部烤箱温度，因此需要更多的功率。预热期间频率会发生漂移，直到OCXO达到设定的工作温度。对于商业/工业应用，OCXO烘箱温度通常设置为75°C至80°C，但可以指定更高和/或更宽的范围（例如90°C至》100°C）。

OCXOs可以使用普通的AT切割或SC切割（应力补偿）石英晶振。首次开发于1974年，SC切割晶体OCXOs更适合升高的工作温度提供低相位噪声和更好的老化性能特点。

OCXO的短期频率稳定性通常为1×10-11几秒钟后大约5 x 10-10每天。长期的OCXO老化通常通过100%测试进行评估在一段时间内。

总之，OCXOs具有以下优势低相位噪声、严格的频率和温度稳定性和优异的长期老化性能特别是当使用SC切割晶体时。
以下是我们OCXO产品线的示例

MODEL	PACKAGE (mm)	FREQUENCY RANGE (MHz)	TEMP STABILITY (ppm)	OUTPUT
YH1300	20.3 x 12.7	10 - 50	±0.2	CMOS, Sinewave
YH1310	36.1 x 26.9	10 - 100	±0.2	Sinewave
YH1311	36.1 x 26.9	10 - 100	±0.2	CMOS
YH1320	50.8 x 50.8	10 - 120	±0.01	HCMOS
YH1321	50.8 x 50.8	10 - 120	±0.01	Sinewave
YH1322	50.8 x 50.8	10 - 120	±0.01	Sinewave
YH1420	20.3 x 12.7	10 - 100	±0.1	CMOS
YH1421	20.3 x 12.7	10 - 100	±0.1	Sinewave
YH1440	25.4 x 22.1	10 - 100	±0.1	ACMOS
YH1441	25.4 x 22.1	10 - 100	±0.1	Sinewave
YH1460	25.4 x 25.4	10 - 100	±0.01	Sinewave
YH1461	25.4 x 25.4	10 - 100	±0.01	ACMOS
YH1485	25.4 x 25.4	10 - 100	±0.1	Sinewave

Greenray TCXOs设计用于通信、仪器仪表和国防应用。我们的TCXOs具有1ppm或更低的温度稳定性，提供多种封装，包括SMT，工作频率范围为20 KHz至1 GHz。

我们合并了前沿设计和创新制造技术生产非常坚固的TCXO晶振，非常适合移动和空中应用。我们的TCXOs具有紧密的稳定性、低相位噪声和超低g灵敏度。

了解TCXO，所有未补偿的石英晶体振荡器都会经历根据石英晶体的特性进行漂移。频率基准的漂移量通常在10至50ppm范围内，具体取决于各晶体的特性。温度补偿晶体振荡器或称“TCXOs”，通常用于需要更稳定频率基准的应用，其分辨率通常优于标准的无补偿石英晶体振荡器。

TCXOs在客户要求的温度范围内进行补偿，达到特定应用所需的特定频率稳定性。例如，在-40°C至+85°C的工业工作温度范围内，TCXOs可以补偿至小于1ppm。

温度补偿晶体振荡器。方法

多年来使用了各种补偿方法，包括：

1.热敏电阻/电阻网络补偿-热敏电阻/电阻补偿利用一个或多个热敏电阻网络产生的校正电压来消除频率随温度的变化。早在1961年，补偿比就超过了100:1，即在整个温度范围内峰峰值偏差为50ppm的晶体可以被补偿到0.5ppm的水平。50多年来，热敏电阻/电阻补偿型TCXO温补晶振一直是业界的主流。

2.数字温度补偿-到20世纪70年代末，集成电路技术的进步使得利用模数转换和固态存储器设计补偿系统变得切实可行。尽管以今天的标准来看还很粗糙，但性能优于0.1ppm的数字TCXOs是由几家制造商生产的，包括Rockwell Collins和Greenray Industries。

多年来，其他数字补偿方案也有所发展，其中许多采用嵌入式计算能力来促进校准和系统操作。其他公司则采用精密的温度测量方案，如双模晶体、自温度感应，以实现0.05ppm或更高的温度稳定性。

3.模拟积分-大规模集成的扩展能力使得在单个IC中集成更多温度补偿所需的功能成为可能。这导致了当前一代ASIC的发展，允许仅用两个组件构建精密模拟tcxo-ASIC和石英晶体。这些IC使用模拟乘法器来产生一条符合5泰国(Thailand)要补偿的晶体的阶多项式。在-40°C至+85°C的温度范围内，稳定性优于0.2ppm贴片晶振。

虽然第一代制造工艺通常会导致相对较大的芯片，但随着几何尺寸和IC尺寸的缩小，精密TCXOs现在可以封装在2mm x 2.5mm的小封装中。

虽然Greenray Industries使用上述每种补偿方法制造温度补偿晶体振荡器，但模拟ASIC型TCXOs的数量超过了所有其他类型。
以下是我们TCXO产品线的示例

MODEL	PACKAGE (mm)	FREQUENCY RANGE (MHz)	TEMP STABILITY (ppm)	OUTPUT
T52	5.0 x 3.2	10 - 52	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T56	5.0 x 3.2	10 - 52	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T58	5.0 x 3.2	10 - 52	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T70	7.0 x 5.0	10 - 50	±0.1	HCMOS
T71	7.0 x 5.0	10 - 50	±0.1	HCMOS
T72	7.0 x 5.0	10 - 50	±0.1	Clipped Sine
T73	7.0 x 5.0	10 - 50	±0.1	Clipped Sine
T79	7.0 x 5.0	10 - 52	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T90	9.1 x 7.5	10 - 100	±0.3	HCMOS
T91	9.1 x 7.5	10 - 100	±0.3	HCMOS
T120	22.9 x 17.8	10 - 100	±0.5	CMOS
T121	17.3 x 17.3	50 - 100	±0.5	Sinewave
T124	17.3 x 17.3	650Hz to 5.0MHz	±0.3	CMOS
T1215	9.1 x 7.5	750KHz - 800MHz	±0.3	CMOS, Clipped Sine, LVPECL, LVDS
T1220	20.3 x 12.7	10 - 50	±0.1	CMOS, Clipped Sine
T1237	17.3 X 17.3	76.8 - 120	±0.5	CMOS, Clipped Sine
T1241	17.3 X 17.3	50 - 100	±2.0	CMOS
T1243	22.9 x 17.8	10 - 50	±2.0	CMOS
T1244	14.2 x 9.1	50 - 150	±1.0	LVPECL
T1247	36.1 x 26.9	10 - 50	±0.03	CMOS
T1254	20.3 x 12.7	10 - 50	±1.0	CMOS
T1276	34.8 x 20.2	2.5 - 120	±1.0	CMOS
T1282	17.3 x 17.3	40 - 100	±3.0	CMOS Squarewave
T1300	20.3 x 12.7	10 - 50	±2.0	CMOS
T1307	9.1 x 7.5	10 - 50	±1.0	CMOS, Clipped Sine
T1354	20.3 x 12.7	10 - 100	±1.0	Clipped Sine
ZT600	29.2 x 25.4	10 - 125	±0.5	CMOS
ZT601	29.2 x 25.4	10 - 500	±0.3	Sinewave
ZT610	20.3 x 12.7	10 - 50	±0.5	CMOS

Greenray VCXOs专为通信、仪器和测试设备应用而设计。我们的VCXOs提供多种封装，包括SMT和薄型DIP。
我们的VCXO和时钟振荡器产品示例如下

MODEL	PACKAGE (mm)	FREQUENCY RANGE (MHz)	TEMP STABILITY (ppm)	OUTPUT
N623	9.1 x 14.2	100	±15.0	Sine
Y1600	20.3 x 12.7	10 - 120	±15.0	HCMOS
Y1631	17.3 x 17.3	60 - 130	±15.0	Sine

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