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  • 首页进口晶振Silicon晶振501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振

      501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振

    • 产品型号:36413331
    • 频率:16MHz
    • 尺寸:3.2x2.5mm
    • 产品介绍:501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,办公设备应用晶振,美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si501,编码为:501BCA16M0000CAG,小体积晶振尺寸:...
    • RoHS RoHS2


    501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,办公设备应用晶振美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si501,编码为:501BCA16M0000CAG,小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,石英晶体振荡器具有超小型,轻薄型,高精度,高性能,高品质等特点。应用于:存储(SATA/SAS/PCIe),通用处理器,工业控制器,嵌入式控制器,机控制,流量控制,办公室/家庭自动化,IP摄像头/监控,显示和控制面板,户外电子设备,多功能打印机等。
    Si501 CMEMS振荡器系列为传统的晶体振荡器提供了单片的,基于mems的IC替代品。贴片晶振,硅实验室的CMEMS技术将标准CMOS+MEMS结合在一个单片IC集成电路中,提供集成、高质量和高可靠性的振荡器。每个设备都经过工厂测试和配置,以保证其在电压、工艺、温度、冲击、振动和老化等方面的性能。


    501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,办公设备应用晶振,参数表


    501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,办公设备应用晶振,尺寸图



    501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,办公设备应用晶振
    产品特点:

    宽频率范围:32kHz到100MHz
    Si501单频w/OE
    Si502双频w/OE/FS
    Si503四频w/FS
    ±20/30/50 ppm频率稳定性,包括10年老化
    LVCMOS输出
    低周期抖动
    低功率
    连续供电电压范围:+1.71V至+3.63V
    用户可选择的上升/下降选项
    无故障启动和停止
    优异的短期稳定性,长期老化
    行业标准占地面积:2x2.5mm、2.5x3.2mm、3.2x5mm石英晶振
    符合RoHS,不含铅
    交付周期短:<2周
    –20至+70°C:外部商用
    -40至+85°C:工业




    原厂代码 进口晶振 型号 频率 电压
    501BCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BAA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA50M0000BAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BCA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000CAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000BAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000CAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000BAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000CAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCAM032768BAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768CAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768CAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768BAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768DAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000DAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000CAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000DAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA50M0000BAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000CAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000CAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000DAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000DAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BCAM032768BAFR 有源晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768BAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768CAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768CAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768DAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768DAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCA16M0000BAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000BAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000CAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000CAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000DAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000DAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000BAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000BAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000CAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000CAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000DAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000DAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA50M0000BAFR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000BAGR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000CAFR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000CAGR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000DAFR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000DAGR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
     
     

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