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- 产品型号：256080
- 频率：0.016MHz~670MHz
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 产品介绍：差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理...
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IDT晶振,贴片晶振,XUN晶振,OSC晶振
IDT晶振,贴片晶振,XUN晶振,OSC晶振,差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰（EMI）是高度免疫的.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
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| 型号 | 符号 | XUN(5032) |
| 输出规格 | - | HCSL |
| 输出频率范围 | fo | 0.016?670MHz |
| 电源电压 | VCC | +2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
频率公差 （含常温偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
| 保存温度范围 | T_stg | -40?+85℃ |
| 运行温度范围 | T_use | -10?+70℃ ,-40?+85℃ |
| 消耗电流 | ICC | 30mA max. (fo≦170MHz), |
| 待机时电流（＃1引脚"L"） | I_std | 10μA max. |
| 输出负载 | Load-R | 50Ω |
| 波形对称 | SYM | 45?55% [at outputs cross point] |
| 0电平电压 | VOL | -0.15?0.15V |
| 1电平电压 | VOH | 0.58?0.85V |
| 上升时间 下降时间 | tr, tf | 0.5ns max. [0.175?0.525V Level] |
| 差分输出电压 | ⊿VOD1, VOD2 | - |
| 差分输出误差 | ⊿VOD | - |
| 补偿电压 | VOS | - |
| 补偿电压误差 | ⊿VOS | - |
| 交叉点电压 | Vcr | 250?550mV |
| OE端子0电平输入电压 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1电平输入电压 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 输出禁用时间 | tPLZ | 200ns |
| 输出使能时间 | tPZL | 2ms |
| 周期抖动（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 总抖动（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖动 | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz] |
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以下是设计振荡回路
产品设计人员在设计振荡回路的注意事项
1. 驱动能力
驱动能力说明石英晶体振荡器所需电功率,其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示石英晶振的有效电阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
| 石英晶振的等效电路 | 振荡电路 |
2. 振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
| 晶振和石英晶体振荡器 | 负极电阻检查 |
|
将电阻(r)跟晶振按串联方式连接到电路。 调整(r),使得 振荡发生（或停止）。 当振荡刚启动（或停止）时,如（2）所述,测量(r)。 推荐的(r) (r) > CI ×(5至 10) |
3. 负载电容
如果振荡电路中晶振的负载电容不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。IDT晶振,贴片晶振,XUN晶振,OSC晶振
| 频率和负载电容特征图器 | 振荡回路参数设置参考 |
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