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SiTime晶振,石英晶振,SiT8924B晶振

产品型号：41670935
频率：1~110MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
产品介绍：OEMs和ODMs接受了石英定时装置固有的局限性.现在,有了强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路,SiTime晶振公司已经开发出突破石英器件限制的突破性解决方案,研发出高性能...

SiTime晶振,石英晶振,SiT8924B晶振,OEMs和ODMs接受了石英定时装置固有的局限性.现在,有了强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路,SiTime晶振公司已经开发出突破石英器件限制的突破性解决方案,研发出高性能贴片晶振,石英晶体振荡器,可编程石英晶体振荡器等.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性，必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

项目	符号	SiT8924B晶振规格说明	条件
输出频率范围	f₀	1 MHz to 110MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.kangbidz.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

OSC晶振和实时时钟模块：
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作，SiTime晶振,石英晶振,SiT8924B晶振

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