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SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振,硅MEMS计时装置的性能继续迅速改善,并超过了基于石英的定时装置的性能.硅制造技术生产具有亚微米特征和纳米精度的设备.MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。
项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 |
输出频率范围 | f0 | 32.768KHZ | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 | VCC | 1.2 V to 3.63 V | 请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
工作温度 | T_use | G: -20℃ to +70℃ | 请联系我们查看更多资料http://www.kangbidz.com |
H: -40℃ to +85℃ | |||
J: -40℃ to +125℃ | |||
频率稳定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | |
L: ±100 × 10-6 | |||
T: ±150 × 10-6 | |||
功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | |
VOL | 0.4 V Max. | ||
输出负载条件 | L_CMOS | 15 pF Max. | |
输入电压 | VIH | 80% VCC Max. | ST 终端 |
VIL | 20 % VCC Max. | ||
上升/下降时间 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
频率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,第一年 |
SiTime晶振产品线路焊接安装时注意事项
耐焊性:
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
(1)柱面式产品和DIP产品
晶振产品类型 | 晶振焊接条件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下 比如:椭圆形引脚插件,圆柱晶体引脚插件 |
手工焊接+300°C或低于3秒钟 请勿加热封装材料超过+150°C |
SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230° |
+260°C或低于@最大值 10 s 请勿加热封装材料超过+150°C |
(2)SMD产品回流焊接条件图
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振
尽可能使温度变化曲线保持平滑:
1、技术支持:全方位技术指导,专业的技术支持让您感受到前所未有的后顾无忧.
2、客服咨询:专业的销售团队,耐心为您解答任何疑问,让您的消费得到保障.
3、质量保证,诚信为本,上我司以“以科技为动力,以质量求生存,”为理念.
4、提升业绩,降低成本为您的产品量身订制,免费取样,为您做到低成本,高效率.
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