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首页进口晶振Golledge晶振,贴片晶振,CM8V晶振

Golledge晶振,贴片晶振,CM8V晶振

产品型号：8424719
频率：32.768KHZ
尺寸：2.0*1.2mm
产品介绍：32.768KHz千赫子时钟晶体,其本身主要应用在时钟控制产品,或者是控制模块,主要给时钟芯片提供一个基准信号,其主要各项功能还得看应用何种产品.

Golledge晶振,贴片晶振,CM8V晶振,32.768KHz千赫子时钟晶体,其本身主要应用在时钟控制产品,或者是控制模块,主要给时钟芯片提供一个基准信号,其主要各项功能还得看应用何种产品.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。

高利奇晶振规格	单位	CM8V晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C～+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C～+85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.kangbidz.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5pF ～ ∞	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶振/石英晶体谐振器
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率。
负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。Golledge晶振,贴片晶振,CM8V晶振

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