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IDT晶振,贴片晶振,8N4DV85晶振,差分晶振,LVDS输出晶振,差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT切、BT切。其它切型还有CT、DT、GT、NT等。
型号 | 符号 | 8N4DV85 |
输出规格 | - | LVDS |
输出频率范围 | fo | 15.476~1300MHZ |
电源电压 | VCC | +2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
频率公差 (含常温偏差) |
f_tol | ±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存温度范围 | T_stg | -40?+85℃ |
运行温度范围 | T_use | -10?+70℃ ,-40?+85℃ |
消耗电流 | ICC | 20mA max. |
待机时电流(#1引脚"L") | I_std | 10μA max. |
输出负载 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
波形对称 | SYM | 45?55% [at outputs cross point] |
0电平电压 | VOL | - |
1电平电压 | VOH | - |
上升时间 下降时间 | tr, tf | 0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分输出电压 | VOD1, VOD2 | 0.247?0.454V |
差分输出误差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
补偿电压 | VOS | 1.125?1.375V |
补偿电压误差 | ⊿VOS | 50mV |
交叉点电压 | Vcr | - |
OE端子0电平输入电压 | VIL | VCC×0.3 max. |
OE端子1电平输入电压 | VIH | VCC×0.7 min. |
输出禁用时间 | tPLZ | 200ns |
输出使能时间 | tPZL | 2ms |
周期抖动(1) | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
总抖动(1) | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖动 | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz] |
石英晶体振荡器和实时时钟模块:
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间)。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶体产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。IDT晶振,贴片晶振,8N4DV85晶振,差分晶振,LVDS输出晶振
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