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更多>>IDT晶振,压控振荡器,8N0QV01晶振,压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。
型号 | 8N0QV01(VCXO) | |
输出频率范围 | 15.476?260MHz | |
电源电压范围 | 2.5 to 3.3V | |
电源电压(Vcc) | +1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V | |
消耗电流 | +1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) | |
待机时电流 | - | |
输出电压 | 0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) | |
输出负载 | 10kΩ//10pF | |
频率稳定度 | 常温偏差 | ±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40?+85℃(Option) |
|
电源电压特性 | ±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) | |
负载变化特性 | ±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) | |
长期变化 | ±1.0×10-6 max./year | |
频率控制 | 控制灵敏度 |
±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V ±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V |
频率控制极性 | 正极性 |
IDT晶振所有产品的共同点
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。IDT晶振,压控振荡器,8N0QV01晶振
1、技术支持:全方位技术指导,专业的技术支持让您感受到前所未有的后顾无忧.
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