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温补晶振,石英晶振,进口希华晶体,STO-7050B晶体，STO-5032B,STO-3225B,STO-2520B

产品型号：5266923
频率：2.500-55.000MHZ
尺寸：5.0*7.0*1.40
产品介绍：希华科技敏锐地掌握电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流,致力于开发小型化、高频与光电领域等产品,与日本同业并驾齐驱.且深耕微机电(MEMS)...

台湾希华贴片晶振有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

产品参数	符号	参数范围	产品说明
输出频率范围	f₀	2.500-60.000MHZ	标准频率
电源电压	V_CC	1.8 V ±0.1 V / 2.8 V ±5% / 3.0V ±5%	电源电压范围:1.7V to 3.3V
储存温度范围	T_stg	-40°C to +90°C	裸存
工作温度范围	T_use	-40°C to +90°C
频率初期公差	f_tol	±2.0 ×10^-6 Max.	在回流焊后,+25°C
频率温度特征	f₀-T_C	±0.5 × 10^-6 Max./-30°C to +85°C ±2.0 × 10^-6 Max./-30°C to +85°C ±2.0 × 10^-6 Max./-40°C to +85°C(选择)	高精度(for GPS) 标准定做產品
频率负载变动特征	f₀-Load	±0.2 × 10^-6 Max.	10kΩ // 10pF ±10%
频率电源电压特征	f₀-V_CC	±0.2 × 10^-6 Max.	V_CC ± 5%
频率老化	f_age	±1.0 × 10^-6 Max. ±1.5 × 10^-6 Max.	+25°C,第一年, 13MHz ≤ f₀ ≤ 40MHz +25°C,第一年, 40MHz < f₀ ≤ 52MHz
功耗	I_CC	1.5mA Max. 2.0mA Max.	13 MHz≤f0≤26 MHz 26 MHz
输入电阻	Rin	500kΩ Min.	V_C- GND(DC)
频率控制范围	f_cont	±8.0 × 10^-6 to ±15.0 ×10^-6	V_C=0.9V ±0.6V (V_cc=1.8 V) 或 VC=1.4 V ±1.0 V (V_cc=2.8 V)
频率变化极	-	正极
占空比	SYM	40% to 60%	GND 极 (DC 切割)
输出电压	V_PP	0.8V Min.	峰-峰值
输出负载	Load_R Load_C	10kΩ 10pF	DC切割电容 = 0.01µF

希华环境保护承诺：

2003年通过ISO14001环境管理系统验证,秉持“污染预防、持续改善”之原则,公司事业废弃物产出量逐年降低,可回收、再利用之废弃物比例逐年提高,各项排放检测数据符合政府法规要求.2004年通过SONY 绿色伙伴(Green Partner)验证. 公司于2008年12月通过OHSAS18001职业安全卫生管理系统验证,提供劳工符合系统要求的安全卫生工作环境.