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  • 首页进口晶振Silicon晶振510BBA148M500BAG,148.5MHz,5032mm,Silicon振荡器

      510BBA148M500BAG,148.5MHz,5032mm,Silicon振荡器

    • 产品型号:1382498
    • 频率:148.5MHz
    • 尺寸:5.0x3.2mm
    • 产品介绍:510BBA148M500BAG,148.5MHz,5032mm,Silicon振荡器,Si510,电信应用晶振,美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si510,编码为:510BBA148M500BAG,频率为:148.5MHz,...
    • RoHS RoHS2


    510BBA148M500BAG,148.5MHz,5032mm,Silicon振荡器,Si510,电信应用晶振美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si510,编码为:510BBA148M500BAG,频率为:148.5MHz,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm封装,LVDS输出差分晶振,差分晶体振荡器,六脚贴片晶振,石英晶振,有源晶振。具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低相位噪声,低电源电压,低耗能,低电平等特点。应用于通讯设备、机顶盒、光端机、安防设备、路由器/交换机、仪器仪表、SATA,SAS,光纤通信,10G以太网及各种频率控制设备上。
    Si510  XO利用天空解决方案的先进DSPLL技术,提供从100kHz到250MHz的任何频率。与传统的XO不同,每个输出频率需要不同的晶体,Si510石英振荡器使用一个固定晶体和天空解决方案的专有的DSPLL合成器来产生这个范围内的任何频率。这种基于集成电路的方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性,改进的机械鲁棒性,和优良的稳定性。此外,该解决方案提供了优越的电源噪声抑制,简化了在噪声环境下的低抖动时钟产生。水晶ESR和DLD分别进行了生产测试,以保证性能和提高可靠性。Si510可在工厂中进行配置,适合各种用户规格,包括频率、电源电压、输出格式、输出启用极性和稳定性。特定的配置是在装运时由工厂编程的,消除了与定制频率振荡器相关的长交货时间和非重复的工程费用。

    510BBA148M500BAG,148.5MHz,5032mm,Silicon振荡器,Si510,电信应用晶振,参数表
    Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
    Nominal Frequency FO CMOS, Dual CMOS 0.1 212.5 MHz
    FO LVDS/LVPECL/HCSL   148.5   MHz
    Total Stability*   Frequency Stability Grade C –30 +30 ppm
    Frequency Stability Grade B –50 +50 ppm
    Frequency Stability Grade A –100 +100 ppm
    Temperature Stability   Frequency Stability Grade C –20 +20 ppm
    Frequency Stability Grade B –25 +25 ppm
    Frequency Stability Grade A –50 +50 ppm
    Startup Time TSU Minimum V DD until output
    frequency (FO) within specification
    10 ms
    Disable Time TD FO> 10 MHz 5 µs
    FO< 10 MHz 40 µs
    Enable Time TE FO> 10 MHz 20 µs
    FO< 10 MHz 60 µs
     

    510BBA148M500BAG,148.5MHz,5032mm,Silicon振荡器,Si510,电信应用晶振,尺寸图


    510BBA148M500BAG,148.5MHz,5032mm,Silicon振荡器,Si510,电信应用晶振

    产品特点:

    支持从100 kHz到250 MHz的任何频率
    低抖动操作
    2-4周交付周期
    总体稳定性包括10年老化
    全面的生产测试覆盖范围包括晶体ESR和DLD
    用于电源噪声滤波的片上LDO稳压器
    3.3、2.5或1.8 V操作 
    差分(LVPECL、LVDS、HCSL)或CMOS输出选项
    可选集成1:2 CMOS扇出缓冲器
    OE上的Runt抑制和通电
    行业标准5x7、3.2x5和2.5x3.2mm封装贴片晶振
    无铅,符合RoHS
    –40至85℃操作

    Si510支持多种选项,包括频率、稳定性、输出格式和VDD。特定的设备配置在装运时被编程到Si510中。可以使用下面的零件号配置图进行配置。Skyworks解决方案提供了一个基于web浏览器的部件号配置实用程序,以简化这个过程。






    原厂代码 石英晶体厂家 型号 频率 电压
    510BBA156M250BAGR Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V
    510BBA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V
    510BBA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V
    510ABA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V
    510BBA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V
    510FBA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 2.5V
    510ABA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V
    510FBA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 2.5V
    510FBA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 2.5V
    510BBA106M250BAG Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V
    510FBA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 2.5V
    510BBA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V
    510ABA000149BAG Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V
    510BBA000149BAG Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V
    510ABA106M250BAG Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V
    510FBA000149BAG Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 2.5V
    510ABA74M2500BAG Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V
    510ABA155M520BAG Silicon晶振 Si510 155.52MHz 3.3V
    510FBA155M520BAG Silicon晶振 Si510 155.52MHz 2.5V
    510ABA000110BAG Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 3.3V
    510BBA000110BAG Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 3.3V
    510FBA000110BAG Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 2.5V
    510BBA155M520BAG Silicon晶振 Si510 155.52MHz 3.3V
    510FBA212M500BAG 进口晶振 Si510 212.5MHz 2.5V
    510ABA212M500BAG Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V
    510BCA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V
    510BBA74M2500BAG Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V
    510BBA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V
    510FBA74M2500BAG Silicon晶振 Si510 74.25MHz 2.5V
    510ABA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V
    510ABA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V
    510ABA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V
    510FBA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 2.5V
    510BBA212M500BAG Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V
    510CBA25M0000BAG Silicon晶振 Si510 25MHz 3.3V
    510ABA100M000BAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V
    510ABA125M000BAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V
    510BBA100M000BAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V
    510BBA125M000BAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V
    510FBA100M000BAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 2.5V
    510FBA125M000BAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 2.5V
    510ABA106M250BAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V
    510BBA106M250BAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V
    510ABA000149BAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V
    510ABA74M2500BAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V
    510BBA000149BAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V
    510BBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V
    510FBA000149BAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 2.5V
    510FBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 2.5V
    510ABA156M250BAGR Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V
    510FBA156M250BAGR Silicon晶振 Si510 156.25MHz 2.5V
    510ABA155M520BAGR Silicon晶振 Si510 155.52MHz 3.3V
    510BBA155M520BAGR Silicon晶振 Si510 155.52MHz 3.3V
    510FBA155M520BAGR Silicon晶振 Si510 155.52MHz 2.5V
    510ABA000110BAGR Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 3.3V
    510ABA148M500BAGR Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V
    510BBA000110BAGR Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 3.3V
    510BBA148M500BAGR Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V
    510FBA000110BAGR Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 2.5V
    510FBA148M500BAGR Silicon晶振 Si510 148.5MHz 2.5V
    510ABA200M000BAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V
    510BBA200M000BAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V
    510FBA200M000BAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 2.5V
    510ABA212M500BAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V
    510BBA212M500BAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V
    510FBA212M500BAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 2.5V
    510BBA150M000BAG Silicon晶振 Si510 150MHz 3.3V
    510KCA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 1.8V
     
     

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